スイッチング電源(Switching Power Supply)は、トランジスタを高速でオン・オフさせることで
エネルギーを効率的に変換する電源方式である。
LDO(線形レギュレータ)と比較すると、
一般的なスイッチング電源は以下の要素で構成される。
入力電圧 ${V_{\mathrm{in}}}$ を 低い電圧に変換する方式。
デューティ比を ${D}$ とすると、理想的には
\[V_{\mathrm{out}} = D \, V_{\mathrm{in}}\]入力より 高い電圧を生成する方式。
\[V_{\mathrm{out}} = \frac{V_{\mathrm{in}}}{1 - D}\]入力より高くも低くもできる方式。
\[V_{\mathrm{out}} = \frac{D}{1 - D} V_{\mathrm{in}}\]MOSFET がオンすると、インダクタに電流が流れエネルギーが蓄積される。
\[\frac{di_L}{dt} = \frac{V_{\mathrm{in}} - V_{\mathrm{out}}}{L}\]MOSFET がオフすると、インダクタ電流はダイオード(または同期整流 MOSFET)へ流れる。
\[\frac{di_L}{dt} = -\frac{V_{\mathrm{out}}}{L}\]インダクタ電流がゼロにならないモード。
電圧バランスより
\[(V_{\mathrm{in}} - V_{\mathrm{out}}) D = V_{\mathrm{out}} (1 - D)\]これを解くと
\[V_{\mathrm{out}} = D V_{\mathrm{in}}\]が得られる。
インダクタ電流リップルを ${\Delta I_L}$ とすると
\[L = \frac{(V_{\mathrm{in}} - V_{\mathrm{out}}) D}{\Delta I_L f_{\mathrm{sw}}}\]出力電圧リップルを ${\Delta V_{\mathrm{out}}}$ とすると
\[C = \frac{\Delta I_L}{8 f_{\mathrm{sw}} \Delta V_{\mathrm{out}}}\]スイッチング電源の効率は以下の損失で決まる。
→ 実際には 33 µH を選択。
→ 実際には 22 µF × 2 など、ESR の低い MLCC を採用。