スナバ回路の基礎から実測設計まで

(RCスナバ・L/C逆算・RCDクランプ・EMI理論)

後半


0. 本記事の位置づけ

本記事は、

として理解し、
実測波形から設計値を導くことを目的とする。


1. なぜスナバが必要か

1.1 スイッチング回路で何が起きているか

インダクタンス (L) を含む回路で電流を急変させると:

[ V = L\frac{di}{dt} ]

により、大きな電圧が発生する。

MOSFETのスイッチングでは:

が不可避に存在し、
結果として 寄生LC共振 が励起される。


1.2 何が問題になるか

共振を抑える必要がある


2. スナバ回路の基本構成

2.1 「何も入れない」場合

寄生LCのみが存在:


2.2 Cだけを入れた場合(誤解されがち)

効果

問題

根本解決にならない


2.3 Rだけを入れた場合

効果

問題


3. RCスナバの本質

3.1 RCは「減衰器」

RCスナバは以下を同時に行う:

共振のQを意図的に下げる


3.2 等価回路での見方

寄生LCにRCが並列に入ると:

これは 2次系の減衰設計そのもの。


3.3 減衰条件と抵抗値

寄生LとスナバCを直列RLCとみなすと、
減衰係数 (\zeta) は:

[ \zeta = \frac{R}{2}\sqrt{\frac{C}{L}} ]

臨界減衰条件より:

[ R_{opt} \approx 2\sqrt{\frac{L}{C}} ]

※ 実回路では「目安」


4. MOSFETスイッチング波形から L と C を逆算する

4.1 リンギング周波数の測定

Vds波形からリンギング周波数 (f_r) を読む。

[ \omega_r = 2\pi f_r ]

[ LC \approx \frac{1}{\omega_r^2} ]


4.2 既知容量追加法(推奨)

リンギングノードに既知容量 (\Delta C) を追加。

[ \left(\frac{f_1}{f_2}\right)^2 = 1 + \frac{\Delta C}{C} ]

[ C = \frac{\Delta C}{\left(\frac{f_1}{f_2}\right)^2 - 1} ]

[ L = \frac{1}{(2\pi f_1)^2 C} ]


4.3 測定上の注意


5. RCスナバ定数の実務的決定

5.1 初期値の決め方

[ R \approx 2\sqrt{\frac{L}{C}} ]


5.2 スナバ損失

[ P_{snub} \approx \frac{1}{2} C V^2 f_{sw} ]

高周波では無視できないため要確認。


6. フライバック電源の RCD スナバ

6.1 漏れインダクタンスのエネルギー

[ E_{lk} = \frac{1}{2} L_{lk} I_{pk}^2 ]


6.2 クランプ電圧

[ V_{ds,max} \approx V_{in,max} + V_{ref} + V_{clamp} ]


6.3 クランプC

[ C \approx \frac{\frac{1}{2} L_{lk} I_{pk}^2} {V_{clamp}\Delta V} ]


6.4 クランプR

[ R \approx \frac{V_{clamp}^2}{E_{lk} f_{sw}} ]


7. スナバと EMI の理論的関係

7.1 立ち上がり時間と周波数

[ f \sim \frac{0.35}{t_r} ]


7.2 共振Qとスペクトル


8. 全体まとめ

スナバ設計は:

寄生LC共振を
測り・理解し・減衰させる

アナログ設計そのものである。