(RCスナバ・L/C逆算・RCDクランプ・EMI理論)
本記事は、
として理解し、
実測波形から設計値を導くことを目的とする。
インダクタンス (L) を含む回路で電流を急変させると:
[ V = L\frac{di}{dt} ]
により、大きな電圧が発生する。
MOSFETのスイッチングでは:
が不可避に存在し、
結果として 寄生LC共振 が励起される。
→ 共振を抑える必要がある
寄生LCのみが存在:
→ 根本解決にならない
RCスナバは以下を同時に行う:
→ 共振のQを意図的に下げる
寄生LCにRCが並列に入ると:
これは 2次系の減衰設計そのもの。
寄生LとスナバCを直列RLCとみなすと、
減衰係数 (\zeta) は:
[ \zeta = \frac{R}{2}\sqrt{\frac{C}{L}} ]
臨界減衰条件より:
[ R_{opt} \approx 2\sqrt{\frac{L}{C}} ]
※ 実回路では「目安」
Vds波形からリンギング周波数 (f_r) を読む。
[ \omega_r = 2\pi f_r ]
[ LC \approx \frac{1}{\omega_r^2} ]
リンギングノードに既知容量 (\Delta C) を追加。
[ \left(\frac{f_1}{f_2}\right)^2 = 1 + \frac{\Delta C}{C} ]
[ C = \frac{\Delta C}{\left(\frac{f_1}{f_2}\right)^2 - 1} ]
[ L = \frac{1}{(2\pi f_1)^2 C} ]
[ R \approx 2\sqrt{\frac{L}{C}} ]
[ P_{snub} \approx \frac{1}{2} C V^2 f_{sw} ]
高周波では無視できないため要確認。
[ E_{lk} = \frac{1}{2} L_{lk} I_{pk}^2 ]
[ V_{ds,max} \approx V_{in,max} + V_{ref} + V_{clamp} ]
[ C \approx \frac{\frac{1}{2} L_{lk} I_{pk}^2} {V_{clamp}\Delta V} ]
[ R \approx \frac{V_{clamp}^2}{E_{lk} f_{sw}} ]
[ f \sim \frac{0.35}{t_r} ]
スナバ設計は:
寄生LC共振を
測り・理解し・減衰させる
アナログ設計そのものである。