トランスコンダクタンスはドレイン電流から
\[g_m=\sqrt{2\beta I_D}\]差動増幅回路はTail電流を用いて
\[g_{md}=\sqrt{\beta I_{SS}}\]ダイオードの電圧
\[V_d=\frac{k_BT}{e}ln{\frac{I}{I_S}}\]バンドギャップリファレンス（定電圧回路）
\[V_{out}= V_{d3} + \Delta V_d \frac{R_2}{R_1}\] \[V_{out}= V_{d3} + \frac{k_BT}{e}ln{K} \cdot \frac{R_2}{R_1}\]バンドギャップリファレンス（定電流回路）
\[I_{out}= \frac{V_{d3}}{R_2} + \frac{\Delta V_d}{R_1}\]MOSの飽和条件
\[V_{gs}-V_{th} <= V_{DS}\]設計法：ドレイン電流の直流バイアスあたりのトランスコンダクタンス
\[\frac{g_m}{I_D}\]を指標にする。